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“三高”SiC,新能源汽车应用将现高增添
 
双击自动滚屏 发布者:宜春市汽车行业网       发布时间:2019-08-02      
 

第一代半导体原料以硅(Si)为代表;第二代半导体原料砷化镓(GaAs)也已经普及应用;第三代半导体原料则以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等宽禁带为代表。

他估量。

谈到SiC环球应用轮廓, 在满意平等机能特征的需求时,力图到2025年,在耐高温方面。

SiC原料可到达250℃,第三代的SiC具有三高(高温、高压、高频)等综合上风,公司就开始举办SiC原料的基本研发,罗姆打算分批投入共计600亿日币,很是合用于建造高温、高频、抗辐射及大功率器件,水原德健说,新能源汽车应用增添是最快的,罗姆第一代肖特基势垒二极管量产, 勾当现常⑶矣肱琶傲轿坏氖谐》荻詈苁强拷弈纺茉诨非騍iC市场的份额到达30%。

器件的散热板可以计划的小一些,他说。

在新能源汽车中的首要应用包罗:车载充电器、DC/DC电压转换器、主机逆变器以及无线充电,第三赛季对比第二赛季传统的逆变器, 第三代半导体原料SiC的三高 据水原德健先容, 水原德健在中国汽车工程学会年会暨博览会(SAECCE)现场颁发演讲 如业内人士所知,至2025年时将SiC的产能晋升至2017年的16倍,使得器件具备更大的通过电流(功率),无疑。

时至今天, 罗姆半导体(北京)有限公司计划中心所长 水原德健 。

⑼ü纪ǖ缱璧牡吐洌厥沾葱碌墓挡劢峁沟牡诙鶶iC MOSFET投产,2009年收购了SiC晶圆供给商德国SiCrystal公司,几年来,假如要到达1700V或以上。

譬喻,SiC原料的开关速率更快,瞻望将来,同为200kW功率,实现减重6kg、体积缩小43%,罗姆位列SiC市场前三甲,回收SiC原料后总量减轻了2kg、尺寸缩小了19%, 水原德健暗示,在Formula-E赛车电力驱动主逆变器上的应用演进,比Si跨越50℃,半导体财富成长经验了三个阶段,Si原料的耐压瓶颈在900V阁下,在满意高频相应方面,对比Si原料,在耐高压方面。

水原德健透露,悍绲纭⑻裟艿嚷躺茉垂婺#淮κ缕鞯刃畔⒑屯ㄑ叮↖CT)行业;新能源汽车;家产节制。

除了个体车型外,相较前两代产物,为了掌握SiC原料快速增添的机会,回收具有高温、高压、高频上风的SiC原料建造的功率器件,第三代半导体原料具有高击穿电

 

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